CY14B116M-ZSP25XI

データシート

パッケージ

ボード

CY14B116M-ZSP25XI

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2031
Density

16 MBit
アラーム

Y
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

Y
ピークリフロー温度

260 °C
リアルタイムクロック

Y
リードボール仕上げ

Pure Sn
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧 (範囲)

2.7 V ～ 3.6 V
組織 (X x Y)

1Mb x 16
認定

Industrial
速度

25 ns

	推奨
OPN	CY14B116M-ZSP25XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ	540
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-54
パッケージ名	TSOP-II-54 (51-85160)
包装サイズ	540
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

CY14B116M-ZSP25XIは、リアルタイムクロックを内蔵した16Mビット (1024K×16) のパラレルnvSRAMです。QuantumTrapの不揮発性素子は、外部VCAPコンデンサーを使用して電源オフ時にデータを自動的にSTOREし、電源オン時にRECALLします。STORE/RECALLは、ソフトウェアまたはピンによって開始することもできます。54ピンTSOP IIパッケージで、2.7 V～3.6 Vの電圧範囲、-40℃～85℃の温度範囲で動作し、最大25 nsのアクセス時間と20年間のデータ保持期間を実現します。

特長

16-Mbit nvSRAM(SRAM+NV)
2048K×8/1024K×16構成
25 ns / 45 nsアクセス
電源断でAutoStore
SWまたはHSBでSTORE
電源投入またはSWでRECALL
STORE耐久100万回
データ保持20年
VCC 2.7 V～3.6 V
スリープ中もRTC動作
スリープ電流最大10 µA
RTC:アラーム/WDT/方形波

利点

NVデータ安全性を備えたSRAM高速性
x8またはx16レガシーバス対応
25 ns/45 nsによる待機状態削減
自動保存によるデータ損失防止
イベント時オンデマンドSTORE
電源投入後の高速復元
データロギングに対応するSTORE耐久性
長期データ保持によるメンテナンス削減
2.7～3.6 V単一電源による設計容易化
スリープモードによるシステム消費電力低減
10 µAスリープによるバッテリー寿命延長
RTCブロックによる外部IC削減

用途

デザインリソース

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