CY14B116M-ZSP25XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B116M-ZSP25XI

パッケージ
ボード

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CY14B116M-ZSP25XI
CY14B116M-ZSP25XI

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    16 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B116M-ZSP25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 540
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 540
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B116M-ZSP25XIは、リアルタイムクロックを内蔵した16Mビット (1024K×16) のパラレルnvSRAMです。QuantumTrapの不揮発性素子は、外部VCAPコンデンサーを使用して電源オフ時にデータを自動的にSTOREし、電源オン時にRECALLします。STORE/RECALLは、ソフトウェアまたはピンによって開始することもできます。54ピンTSOP IIパッケージで、2.7 V～3.6 Vの電圧範囲、-40℃～85℃の温度範囲で動作し、最大25 nsのアクセス時間と20年間のデータ保持期間を実現します。

特長

  • 16 MビットnvSRAM (SRAM + NV)
  • 2048K×8または1024K×16アレイ
  • 25 ns / 45 nsアクセス オプション
  • 電源断時のAutoStore
  • ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
  • STOREサイクル: 100万回
  • データ保持期間: 20年
  • VCC電源: 2.7 V～3.6 V
  • RTC動作中のスリープ モード
  • スリープモード電流: 最大10 μA
  • RTCアラーム、WDT、方形波出力

利点

  • NVデータ安全性を備えたSRAM高速性
  • x8またはx16レガシーバス対応
  • 25 ns/45 nsによる待機状態削減
  • 自動保存によるデータ損失防止
  • イベント時オンデマンドSTORE
  • 電源投入後の高速復元
  • データロギングに対応するSTORE耐久性
  • 長期データ保持によるメンテナンス削減
  • 2.7～3.6 V単一電源による設計容易化
  • スリープモードによるシステム消費電力低減
  • 10 µAスリープによるバッテリー寿命延長
  • RTCブロックによる外部IC削減

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ