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CY14B104NA-ZS25XET

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データシート
パッケージ

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CY14B104NA-ZS25XET
CY14B104NA-ZS25XET
データシート

製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    25 ns
OPN
CY14B104NA-ZS25XET
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104NA-ZS25XETは4-Mbit（256K×16）のパラレルnvSRAMで、高速SRAMとQuantumTrap不揮発ストレージをセルに統合。–40°C～+125°C、3.0 V～3.6 V（Automotive-E）で動作し、25 nsアクセスをサポートします。電源断で自動STORE、電源投入でRECALLを実行し、ソフトウェアまたはピンによるSTORE/RECALLも可能です。44ピンTSOP II（テープ&リール）で提供されます。

特長

  • 4 Mbit nvSRAM(256K×16)
  • 16ビット+BHE/BLEバイト
  • 25 ns/45 ns非同期アクセス
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSB端子/ソフトでSTORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • 全セル並列STORE/RECALL
  • VCAP容量61–180 µF
  • STORE/RECALL中HSB=LOW
  • STORE/RECALL中はR/W禁止
  • SRAM R/W/RECALL無制限
  • 不揮発STORE最大1,000K回

利点

  • SRAM速度+不揮発バックアップ
  • 停電時に自動でデータ保存
  • HSB/ソフト制御で柔軟
  • 電源投入で状態を即復元
  • 並列処理で停止時間短縮
  • バイト制御でバス負荷低減
  • VCAP容量が明確で実装容易
  • HSBビジーで破損を防止
  • 不揮発更新中の誤動作防止
  • SRAM無制限で摩耗回避
  • 高耐久STOREで保守削減
  • 長期保持で電源OFF後も保持

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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