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CY14B104NA-ZS25XET
生産終了
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RoHS対応

CY14B104NA-ZS25XET

生産終了
データシート
パッケージ

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CY14B104NA-ZS25XET
CY14B104NA-ZS25XET
データシート

製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    25 ns
OPN
CY14B104NA-ZS25XET
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B104NA-ZS25XETは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた4Mビット (256K×16) の並列nvSRAMです。動作電圧は3.0 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+125℃ (Automotive-E) で、25 nsのアクセス速度をサポートし、電源オフ時に自動STORE、電源オン時にRECALLを実行します。また、ソフトウェアまたはピンによるSTORE/RECALLの開始も可能です。44ピンTSOP IIパッケージ (テープ＆リール) で提供されます。

特長

  • 4 MビットnvSRAM (256K × 16)
  • BHE/BLEバイトを備えた16ビット バス
  • 25 ns/45 ns非同期アクセス
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSBピンまたはソフトウェア シーケンスでSTORE
  • 電源投入時またはソフトウェア シーケンスによるRECALL
  • 全セルの並列STORE/RECALL
  • VCAPコンデンサ: 61～180 μF
  • STORE/RECALL中はHSBがLOW (ビジー)
  • STORE/RECALL中はSRAMの読み出し/書き込みがブロック
  • SRAMの読み出し/書き込み/RECALLは無制限
  • 不揮発性STORE操作は最大100万回

利点

  • 不揮発性バックアップ付きSRAM速度
  • AutoStoreは停電時にデータを保存します
  • HSB/ソフトウェア制御により柔軟性が向上
  • 電源投入時のRECALL機能で状態を素早く復元
  • 並列STORE/RECALLによりダウンタイムを削減
  • Byteはバスアクティビティを削減します
  • VCAPサイジングの定義により設計が容易になります
  • HSBビジーはデータ破損を防ぎます
  • NVMアップデート中に読み出し/書き込みをブロックします
  • 無限のSRAMサイクルにより摩耗を回避
  • 高いSTORE耐久性によるサービスコスト低減
  • 長期データ保持による電源オフ後のデータ保持

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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