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CY14B104NA-ZS25XET

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データシート
パッケージ

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CY14B104NA-ZS25XET
CY14B104NA-ZS25XET
データシート

製品仕様情報

  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    25 ns
OPN
CY14B104NA-ZS25XET
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104NA-ZS25XETは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた4Mビット (256K×16) の並列nvSRAMです。動作電圧は3.0 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+125℃ (Automotive-E) で、25 nsのアクセス速度をサポートし、電源オフ時に自動STORE、電源オン時にRECALLを実行します。また、ソフトウェアまたはピンによるSTORE/RECALLの開始も可能です。44ピンTSOP IIパッケージ (テープ＆リール) で提供されます。

特長

  • 4 Mbit nvSRAM(256K×16)
  • 16ビット+BHE/BLEバイト
  • 25 ns/45 ns非同期アクセス
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • HSB端子/ソフトでSTORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • 全セル並列STORE/RECALL
  • VCAP容量61–180 µF
  • STORE/RECALL中HSB=LOW
  • STORE/RECALL中はR/W禁止
  • SRAM R/W/RECALL無制限
  • 不揮発STORE最大1,000K回

利点

  • 不揮発性バックアップ付きSRAM速度
  • AutoStoreは停電時にデータを保存します
  • HSB/ソフトウェア制御により柔軟性が向上
  • 電源投入時のRECALL機能で状態を素早く復元
  • 並列STORE/RECALLによりダウンタイムを削減
  • Byteはバスアクティビティを削減します
  • VCAPサイジングの定義により設計が容易になります
  • HSBビジーはデータ破損を防ぎます
  • NVMアップデート中に読み出し/書き込みをブロックします
  • 無限のSRAMサイクルにより摩耗を回避
  • 高いSTORE耐久性によるサービスコスト低減
  • 長期データ保持による電源オフ後のデータ保持

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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