CY14B104M-ZSP25XI
Active and preferred
RoHS対応

CY14B104M-ZSP25XI

データシート
パッケージ

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CY14B104M-ZSP25XI
CY14B104M-ZSP25XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B104M-ZSP25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1080
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1080
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY14B104M-ZSP25XIは、リアルタイムクロックを内蔵した4MビットのnvSRAM (256K×16) で、SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた製品です。動作電圧は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃で、電源オフ時のAutoStore機能に加え、ハードウェア/ソフトウェアによるSTOREとRECALLに対応しています。-ZSP25オプションは、25 nsのアクセス時間を持つ54ピンTSOP IIパッケージで、STOREエネルギー用に68 µFのVCAP (最小61 µF) を使用します。

特長

  • 4MビットnvSRAM + RTC
  • 512 K x 8 または 256 K x 16 バス
  • 3.0 V 動作 (2.7 V ～ 3.6 V)
  • VCAP を介したパワーダウン時の自動保存 (AutoStore)
  • ソフトウェアまたはHSBピンで保存
  • ソフトウェアまたは電源投入による呼び出し
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • 20 年間のデータ保持
  • 25 ns / 45 ns SRAM サイクルタイム
  • ウォッチドッグタイマーと時計アラーム
  • RTCバックアップ：バッテリーまたはコンデンサ
  • RTC バックアップ電流 最大 0.5 μA

利点

  • 時間とデータを1つのICに保持
  • 8ビットまたは16ビットのバス設計に対応
  • 標準的な3 Vレールに対応
  • 停電時にデータを自動的に保存します
  • SWまたはPIN用の柔軟な保存トリガー
  • 電源復旧後の高速復元
  • 頻繁な保存操作に対応
  • 重要なデータを20年間保存
  • 25 nsで高速SRAMアクセスが可能
  • アラーム/ウォッチドッグによるMCU負荷低減
  • 主電源オフ時のRTC維持
  • µAバックアップによるバッテリー寿命延長

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ