Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY14B104LA-ZS20XIT

データシート
パッケージ

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CY14B104LA-ZS20XIT
CY14B104LA-ZS20XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    20 ns
推奨
OPN
CY14B104LA-ZS20XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104LA-ZS20XITは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた4Mビット (512K×8) の並列nvSRAMです。本製品は、-40℃～85℃の温度範囲で、2.7 V～3.6 Vの単一電源で動作し、アクセス時間は20 nsです。AutoStoreは、61 µF～180 µFのVCAPコンデンサーを使用して、電源オフ時にSRAMを不揮発性セルに保存します。データは電源オン時にRECALLされ、ソフトウェアまたはピンによるSTORE/RECALL制御が行われます。

特長

  • 4 Mbit nvSRAM、SRAM IF
  • 電源断で自動STORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • ソフト/ピンでSTORE開始
  • QuantumTrap不揮発セル
  • 単一電源2.7 V～3.6 V
  • 動作温度-40°C～+85°C
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1,000 K回
  • VCAP外付け61～180 µF
  • 低電圧トリガ2.65 V
  • tSTORE最大8 ms

利点

  • SRAMのような即時アクセス
  • 停電時保存用ファームウェア不要
  • 電源復旧後の高速復元
  • 柔軟な保存制御オプション
  • EEPROMと比較した高信頼性NVM
  • 安定化3 V電源レールに対応
  • 過酷な温度環境下での安定動作
  • 長期データ保持による設定保護
  • 頻繁な保存操作に対応するSTORE耐久性
  • 小型コンデンサーでバックアップ不要の保存
  • 予測可能なブラウンアウト時保存トリガー
  • 短いSTORE時間によるダウンタイム抑制

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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