CY14B104K-ZS45XI

データシート

パッケージ

CY14B104K-ZS45XI

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2033
Density

4 MBit
アラーム

Y
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

Y
ピークリフロー温度

260 °C
リアルタイムクロック

Y
リードボール仕上げ

Ni/Pd/Au
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

512Kb x 8
認定

Industrial
速度

45 ns

	推奨
OPN	CY14B104K-ZS45XI
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ	1350
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	No
ハロゲンフリー	No
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-TSOP-44
パッケージ名	TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ	1350
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14B104K-ZS45XIは、SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性素子を組み合わせた、リアルタイムクロックを内蔵した4Mビット (512K×8) のnvSRAMです。動作温度範囲−40℃ ～85℃、2.7 V〜3.6 V動作に対応します。100万回のSTORE動作に対応し、データ保持期間は20年です。電源オフ時のAutoStoreはVCAPコンデンサーを使用しますが、ソフトウェアまたはHSBピンのSTORE/RECALL機能は産業用組み込みシステム向けにデータを保持します。

特長

4MビットnvSRAM + RTC
512 K x 8 または 256 K x 16 バス
3.0 V 動作 (2.7 V ～ 3.6 V)
VCAP を介したパワーダウン時の自動保存 (AutoStore)
ソフトウェアまたはHSBピンで保存
ソフトウェアまたは電源投入による呼び出し
不揮発性STOREサイクル: 100万回
20 年間のデータ保持
25 ns / 45 ns SRAM サイクルタイム
ウォッチドッグタイマーと時計アラーム
RTCバックアップ：バッテリーまたはコンデンサ
RTC バックアップ電流最大 0.5 μA

利点

時間とデータを1つのICに保持
8ビットまたは16ビットのバス設計に対応
標準的な3 Vレールに対応
停電時にデータを自動的に保存します
SWまたはPIN用の柔軟な保存トリガー
電源復旧後の高速復元
頻繁な保存操作に対応
重要なデータを20年間保存
25 nsで高速SRAMアクセスが可能
アラーム/ウォッチドッグによりMCUの負荷を軽減
主電源オフ時でもRTCを維持
uAバックアップによりバッテリー寿命が延長

アプリケーション

デザインリソース

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CY14B104K-ZS45XI

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14B104K-ZS45XI

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