Active and preferred
RoHS準拠

CY14B104K-ZS45XI

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パッケージ

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CY14B104K-ZS45XI
CY14B104K-ZS45XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY14B104K-ZS45XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 1350
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104K-ZS45XIはRTC内蔵の4 Mbit（512 K×8）nvSRAMで、SRAMとQuantumTrap不揮発要素を統合します。2.7 V～3.6 V、−40°C～85°Cで動作し、1,000 K回のSTOREと20年データ保持に対応。電源断時のAutoStoreはVCAPコンデンサを使用し、ソフトウェアまたはHSBピンのSTORE/RECALLで産業用組み込みのデータを保持します。

特長

  • 4-Mbit nvSRAM+RTC
  • 512Kx8/256Kx16バス
  • 3.0 V動作(2.7-3.6 V)
  • 電源断でAutoStore(VCAP)
  • ソフト/HSBでSTORE
  • ソフト/電源投入でRECALL
  • STORE耐久100万回
  • データ保持20年
  • 25 ns/45 ns SRAM周期
  • WDTとアラーム搭載
  • RTC電池/コンデンサバックアップ
  • RTCバックアップ0.5 uA最大

利点

  • 時刻とデータを1チップ化
  • 8/16ビットバスに対応
  • 一般的な3 V電源で動作
  • 停電時に自動でデータ保存
  • ソフト/ピンで保存トリガ柔軟
  • 復電後に素早く復元
  • 頻繁な保存に対応
  • 重要データを20年保持
  • 25 nsで高速SRAMアクセス
  • アラーム/WDTでMCU負荷低減
  • 主電源OFFでもRTC維持
  • uA級で電池寿命を延長

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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