BSZ011NE2LS5I
Active and preferred
RoHS対応

BSZ011NE2LS5I

Significantly reduced RDS(on) with best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 25V in small PQFN 3.3x3.3mm package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    202 A
  • ID (@25°C) (最大)
    202 A
  • IDpuls (最大)
    808 A
  • Ptot (最大)
    69 W
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • QG (typ @4.5V)
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.5 mΩ
  • Special Features
    Logic Level, Schottky ( includes Schottky like and FETky )
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.77 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.59
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
BSZ011NE2LS5IATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT
個.
在庫あり
With the BSZ011NELS5I OptiMOS™ 5 power MOSFET, an additional device with integrated Schottky-like diode in high performance PQFN 3.3x3.3mm package is complementing Infineon’s high performance portfolio. It allows a further increase in system efficiency enabled by a significantly reduced RDS(on) in applications such as synchronous rectification in server and telecom SMPS. The outstanding electrical performance combined with a small PQFN 3.3x3.3mm package further enhances best-in-class power density and form factor improvement in the target applications.
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ