Active and preferred
RoHS準拠

BSZ011NE2LS5I

Significantly reduced RDS(on) with best-in-class OptiMOS™ 5 power MOSFET 25V in small PQFN 3.3x3.3mm package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I
EA.
データシート

Product details

  • ID (@ TC=25°C) max
    202 A
  • ID (@25°C) max
    202 A
  • IDpuls max
    808 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • QG (typ @4.5V)
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.5 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.77 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.62
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Schottky ( includes Schottky like and FETky )
推奨
OPN
BSZ011NE2LS5IATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With the BSZ011NELS5I OptiMOS™ 5 power MOSFET, an additional device with integrated Schottky-like diode in high performance PQFN 3.3x3.3mm package is complementing Infineon’s high performance portfolio. It allows a further increase in system efficiency enabled by a significantly reduced RDS(on) in applications such as synchronous rectification in server and telecom SMPS. The outstanding electrical performance combined with a small PQFN 3.3x3.3mm package further enhances best-in-class power density and form factor improvement in the target applications.

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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