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BSC120N12LS G
生産終了
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RoHS対応

BSC120N12LS G

生産終了
OptiMOS™ 3 power MOSFETs 120V in logic level provide low RDS(on) in a small package
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BSC120N12LS G
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    68 A
  • IDpuls (最大)
    274 A
  • Ptot (最大)
    114 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    12 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    14.2 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2.4 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.71
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
BSC120N12LSGATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
OptiMOS™ 3 power MOSFETs in logic level are highly suitable for charging , adapter and telecom applications. The devices' low gate charge reduces switching losses without compromising conduction losses. Logic level MOSFETs allow operations at high switching frequencies and due to a low gate threshold voltage can be driven directly from microcontrollers.

特長

  • Low RDS(on) in small package
  • Low gate charge
  • Lower output charge
  • Logic level compatibility

利点

  • Higher power density designs
  • Higher switching frequency
  • Reduced part count with 5V supplies
  • Driven directly from microcontrollers
System cost reduction

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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