ISC104N12LM6
Active and preferred
RoHS対応

ISC104N12LM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET logic level 120 V in SuperSO8 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISC104N12LM6
ISC104N12LM6
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    63 A
  • IDpuls (最大)
    252 A
  • Ptot (最大)
    94 W
  • QG (typ @4.5V)
    10.4 nC
  • QG (typ @10V)
    19.6 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    10.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    14.1 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.7
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
ISC104N12LM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
This is a logic level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 10.4 mOhm on-resistance. ISC104N12LM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family .

特長

  • Features: 58% better RDS(on)
  • up to 66% better FOMg
  • Up to 90% better Qrr
  • Up to 35% better FOMoss

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }