Active and preferred
RoHS準拠

ISC104N12LM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET logic level 120 V in SuperSO8 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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ISC104N12LM6
ISC104N12LM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    63 A
  • IDpuls max
    252 A
  • Ptot max
    94 W
  • QG (typ @4.5V)
    10.4 nC
  • QG (typ @10V)
    19.6 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    14.1 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    10.4 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • バッテリー電圧
    48-72 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.7
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISC104N12LM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This is a logic level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 10.4 mOhm on-resistance. ISC104N12LM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family .

機能

  • Features: 58% better RDS(on)
  • up to 66% better FOMg
  • Up to 90% better Qrr
  • Up to 35% better FOMoss

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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