BSC080N03LS G

データシート

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BSC080N03LS G
BSC080N03LS G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    1300 pF
  • Coss
    510 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    53 A
  • IDpuls (最大)
    208 A
  • Ptot (最大)
    34 W
  • QG (typ @10V)
    16 nC
  • QG (typ @4.5V)
    7.5 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    12 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    12 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.7 K/W
  • Rth
    3.7 K/W
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (範囲)
    1 V ～ 2.2 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    0.25
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

特長

  • Ultra low gate and output charge
  • Lowest on-state resistance in small footprint packages
  • Easy to design in

利点

  • Increased battery lifetime
  • Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete
  • Saving costs
  • Saving space
  • Reducing power losses

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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