これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
BFP840FESD
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFP840FESD

生産終了
データシート
パッケージ
ボード

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BFP840FESD
BFP840FESD
データシート

製品仕様情報

  • fT
    85 GHz
  • Gmax
    27.50 dB @900 MHz
  • IC (最大)
    35 mA
  • NFmin
    0.60 dB @900 MHz
  • OIP3
    21 dBm
  • OP1dB
    4.5 dBm
  • Ptot
    75 mW
  • VCEO (最大)
    2.25 V
OPN
BFP840FESDH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSFP-4-1
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TSFP-4-1
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The BFP840FESD is a discrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.

特長

  • Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
  • High transition frequency fT = 85 GHz to enable best in class noise figure at high frequencies: NFmin = 0.75 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 5 mA
  • High gain Gms = 23 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • OIP3 = 22 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA
  • Suitable for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V (2.85 V, 3.3 V, 3.6 V require a corresponding collector resistor)
  • Low profile and small form factor leadless package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }