新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

BAT24-02ELS

データシート
パッケージ

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BAT24-02ELS
BAT24-02ELS
データシート

Product details

  • C @VR=0V
    0.2 pF
  • IF max
    110 mA
  • VF
    0.25 V
  • VR max
    4 V
  • コンフィギュレーション
    Single
OPN
BAT2402ELSE6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TSSLP-2-3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TSSLP-2-3
パッケージ名 -
包装サイズ 15000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
This Infineon RF Schottky Diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Its low barrier height, small forward voltage and low junction capacitance make BAT24-02ELS a suitable choice for mixer and detector functions in applications with frequencies are as high as 24 GHz.

機能

  • Low inductanve LS = 0.2 nH (typical)
  • Low capacitance C = 0.2 pF (typical) at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 MHz
  • TSSLP-2-3 package (0.62 mm x 0.32 mmx 0.31 mm) with a 0201 footprint
  • Pb-free,  RoHS compliant and halogen free

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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