アクティブで優先
RoHS準拠
鉛フリー

BAT15-03W

EA.
在庫あり

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BAT15-03W
BAT15-03W
EA.

Product details

  • C @VR=0V
    0.28 pF
  • IF max
    110 mA
  • VF
    0.25 V
  • VR max
    4 V
  • Configuration
    Single
OPN
BAT1503WE6327HTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-03W a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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