BAT15-03W
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BAT15-03W

データシート
パッケージ

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BAT15-03W
BAT15-03W
データシート

製品仕様情報

  • C @VR=0V
    0.28 pF
  • IF (最大)
    110 mA
  • VF (最大)
    0.32 V
  • VF
    0.25 V
  • VR (最大)
    4 V
  • コンフィギュレーション
    Single
推奨
OPN
BAT1503WE6327HTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
SOD323
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SOD323
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This Infineon RF Schottky diode is a silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-03W a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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