AUIRF7675M2
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

AUIRF7675M2

150 V, N-Ch, 56 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET SC, Gen 10.7
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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AUIRF7675M2
AUIRF7675M2
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    90 A
  • Ptot (最大)
    45 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.7 W
  • Qgd
    7.1 nC
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    56 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    MG-WDSON-5
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AUIRF7675M2TR
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • Advanced Process Technology
  • Optimized for Class D Audio Amplifier
  • Low RDS(on) for Improved Efficiency
  • Low Qg for Better THD and Efficiency
  • Low Qrr for Better THD and Lower EMI
  • Low Parasitic Inductance
  • Max 250W per Channel to 4Ω, no heat sink/li>
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • AEC Qualified & PPAP Capable Device

利点

  • Reduced Ringing and Lower EMI
  • Improved Robustness and Reliability
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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