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AUIRF7675M2
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

AUIRF7675M2

生産終了
150 V, N-Ch, 56 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET SC, Gen 10.7
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AUIRF7675M2
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    90 A
  • Ptot (最大)
    45 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.7 W
  • Qgd
    7.1 nC
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    56 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    MG-WDSON-5
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive

OPN
AUIRF7675M2TR
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MX
ウェハ製造国
MY
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MX
ウェハ製造国
MY
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特長

  • Advanced Process Technology
  • Optimized for Class D Audio Amplifier
  • Low RDS(on) for Improved Efficiency
  • Low Qg for Better THD and Efficiency
  • Low Qrr for Better THD and Lower EMI
  • Low Parasitic Inductance
  • Max 250W per Channel to 4Ω, no heat sink/li>
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • AEC Qualified & PPAP Capable Device

利点

  • Reduced Ringing and Lower EMI
  • Improved Robustness and Reliability
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ