リクエスト対応可能
RoHS準拠
鉛フリー

AUIRF7675M2

150 V, N-Ch, 56 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET SC, Gen 10.7
データシート
パッケージ

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AUIRF7675M2
AUIRF7675M2
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    18 A
  • Ptot max
    45 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.7 W
  • Qgd
    7.1 nC
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • QG (typ @10V) max
    32 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    56 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    MG-WDSON-5
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Mounting
    SMD
  • Technology
    Gen 10.7
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Automotive
OPN
AUIRF7675M2TR
製品ステータス on request
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス on request
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
包装サイズ 4800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Advanced Process Technology
  • Optimized for Class D Audio Amplifier
  • Low RDS(on) for Improved Efficiency
  • Low Qg for Better THD and Efficiency
  • Low Qrr for Better THD and Lower EMI
  • Low Parasitic Inductance
  • Max 250W per Channel to 4Ω, no heat sink/li>
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • AEC Qualified & PPAP Capable Device

利点

  • Reduced Ringing and Lower EMI
  • Improved Robustness and Reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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