アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

AUIRF7669L2TR

100 V, N-Ch, 4.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET L8, Gen 10.7
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

AUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Mexico
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • ID (@25°C) (最大)
    114 A
  • Ptot (最大)
    100 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.3 W
  • Qgd
    34 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    120 nC
  • QG (typ @10V)
    81 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.4 mΩ
  • RthJA (最大)
    45 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    MG-WDSON-11
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    4.27
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AUIRF7669L2TR
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり

特長

  • Advanced Process Technology
  • Optimized for Automotive Applications
  • Small Footprint and Low Profile
  • High Power Density
  • Low Parasitic Parameters
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }