AUIRF7669L2TR
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

AUIRF7669L2TR

100 V, N-Ch, 4.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET L8, Gen 10.7
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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AUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TR
個.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Mexico
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • ID (@25°C) (最大)
    114 A
  • Ptot (最大)
    100 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.3 W
  • Qgd
    34 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    120 nC
  • QG (typ @10V)
    81 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.4 mΩ
  • RthJA (最大)
    45 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    MG-WDSON-11
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    4.27
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AUIRF7669L2TR
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • Advanced Process Technology
  • Optimized for Automotive Applications
  • Small Footprint and Low Profile
  • High Power Density
  • Low Parasitic Parameters
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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