Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

AIMBG120R020M1

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in D2PAK-7 package
EA.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

AIMBG120R020M1
AIMBG120R020M1
EA.

Product details

  • Ciss
    2667 pF
  • Coss
    126 pF
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) max
    104 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    468 W
  • QG
    82 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    19 mΩ
  • RthJC max
    0.32 K/W
  • VDS max
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • パッケージ
    TO-263-7
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 発売年
    2023
  • 認定
    Automotive
OPN
AIMBG120R020M1XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC MOSFET features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

機能

  • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
  • Very low switching losses
  • Threshold-free on state characteristic
  • 0V turn-off gate voltage
  • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th)=4.5V
  • Fully controllable dv/dt
  • Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification
  • Temperature independent turn-off switching losses
  • Sense pin for optimized switching performance
  • Suitable for HV creepage requirements
  • XT interconnection technology for best-in-class thermal performance

利点

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }