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RoHS準拠
鉛フリー

AIKW50N65DF5

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIKW50N65DF5
AIKW50N65DF5
EA.
データシート

Product details

  • Co-pack diode technology
    RAPID1
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Eoff (Hard Switching)
    0.25 mJ
  • Eoff (Soft Switching)
    0.03 mJ
  • Eon
    0.49 mJ
  • IC (@ 100°) max
    53.5 A
  • IC (@ 25° ) max
    80 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    15.5 A
  • Ptot max
    270 W
  • QGate
    108 nC
  • Qrr
    680 nC
  • td(off)
    156 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    6 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.66 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.54 V
  • Switching Frequency
    15-120 KHz
  • Package
    PG-TO247-3
  • Reflow Solderable
    No
  • Budgetary Price €/1k
    2.78
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • Launch year
    2017
  • Type
    IGBT + Diode
  • Voltage Class max
    650 V
推奨
OPN
AIKW50N65DF5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO-247-3
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO-247-3
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBTテクノロジーは、ハードスイッチングアプリケーションの効率の点で比類のない性能を提供することにより、「クラス最高」のIGBTを再定義します。

機能

  • 650V ブロッキング電圧
  • 最大ジャンクション温度 175°C
  • 非常に低い導通損失とスイッチング損失
  • 非常に低いジャンクションおよびケース温度
  • 高電力密度設計
  • V CEsat

利点

  • 50Vより高いブロッキング電圧
  • 最高効率
  • 高いデバイス信頼性
  • 低温により冷却努力が少なくなります
  • システムコスト

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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