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AIKBE40N65RF5

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Automotive Silicon-carbide (SiC) Hybrid Discrete 650 V in D2PAK-7L
データシート
パッケージ

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AIKBE40N65RF5
AIKBE40N65RF5
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Eoff (Hard Switching)
    0.09 mJ
  • Eon
    0.1 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    62 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    62 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    96 A
  • ICpuls (最大)
    120 A
  • IF (最大)
    46 A
  • IFpuls (最大)
    90 A
  • QGate
    90 nC
  • td(off)
    112 ns
  • td(on)
    14 ns
  • tf
    14 ns
  • tr
    6 ns
  • VCE(sat)
    1.66 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数 (範囲)
    40 kHz ～ 100 kHz
  • パッケージ
    TO263-7
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5 + CoolSiC Schottky Diode Gen5
  • 発売年
    2025
推奨
OPN
AIKBE40N65RF5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon has developed a hybrid of 650V TRENCHSTOP™ 5 AUTO fast-switching IGBT and CoolSiC™ Schottky Diode with best efficiency in hard switching & resonant topologies to enable a cost-efficient performance boost for fast switching automotive applications such as On-Board Charger, PFC, DC-DC.

特長

  • VCE = 650 V
  • IC = 40 A
  • 650 V breakdown voltage
  • TrenchstopTM 5 fast-switching IGBT
  • CoolSiCTM Schottky diode G5
  • Maximum junction temperature Tvjmax = 175°C

利点

  • Low gate charge QG
  • Kelvin emitter for optimized switching

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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