AIGB40N65H5
新規設計非推奨
RoHS対応

AIGB40N65H5

小型SMDパッケージの高速スイッチング・アプリケーション向けのワールドクラスの低コスト電力
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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AIGB40N65H5
AIGB40N65H5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • IC (@ 100°) (最大)
    40 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    74 A
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    15-100 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • リフローはんだ付け可能
    Yes
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • 発売年
    2020
  • 種類
    IGBT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V
OPN
AIGB40N65H5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
インフィニオンの650V TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジーは、電気自動車とハイブリッド車の効率を向上させます。そのIGBT技術は、損失を最小限に抑え、オンボードチャージャー、PFC、DC/ACなどのアプリケーションの効率を最大化します。これにより、EVバッテリーの航続距離が延びたり、バッテリーが小さくなったり、ハイブリッド車の燃料消費量が削減されたりします。TRENCHSTOP™ 5 AUTOは、MOSFETに代わるコスト効率の高い製品を提供し、D²PAKのようなSMDハウジングは、システムコストを削減し、品質管理を強化します。

特長

  • TRENCHSTOP™ 5 技術、低 VCEsat
  • 650V ブレークダウン V、公称電流 40A
  • 非常に高速スイッチング (最大 150kHz)
  • Automotive 認定済み accordance
  • Max junction temperature 175 °C
  • 最高効率、低導通損失
  • very低スイッチング損失
  • 非常に低い接合部温度とケース温度 SMD D2PAKパッケージにより、組み立てコストを低く抑えることができます
  • 非常に堅牢
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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