新規設計は非推奨
RoHS準拠

AIGB30N65F5

小型SMDパッケージの高速スイッチング・アプリケーション向けのワールドクラスの低コスト電力
データシート
パッケージ

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AIGB30N65F5
AIGB30N65F5
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • IC (@ 25°) max
    55 A
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    650 V
  • スイッチング周波数
    15-120 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • リフローはんだ付け可能
    Yes
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
  • 発売年
    2020
  • 種類
    IGBT
  • 電圧クラス max
    650 V
OPN
AIGB30N65F5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK (TO-263-3)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの650V TRENCHSTOP™ 5 AUTOテクノロジーは、電気自動車とハイブリッド車の効率を向上させます。そのIGBT技術は、損失を最小限に抑え、オンボードチャージャー、PFC、DC/ACなどのアプリケーションの効率を最大化します。これにより、EVバッテリーの航続距離が延びたり、バッテリーが小さくなったり、ハイブリッド車の燃料消費量が削減されたりします。TRENCHSTOP™ 5 AUTOは、MOSFETに代わるコスト効率の高い製品を提供し、D²PAKのようなSMDハウジングは、システムコストを削減し、品質管理を強化します。

機能

  • TRENCHSTOP™ 5 技術、低 VCEsat/
  • 650V ブレークダウン V、公称電流 30A
  • 非常に高速スイッチング (最大 150kHz)
  • Automotive 認定済み、
  • Max ジャンクション温度 175 °C
  • 最高効率、低導通損失 very低スイッチング損失
  • 非常に低い接合部およびケース温度
  • SMD D2PAKパッケージにより、低アセンブリ
  • 非常に堅牢

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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