新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

2EDS8265H

Fast, robust, dual-channel, reinforced isolated MOSFET gate drivers with accurate and stable timing
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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2EDS8265H
2EDS8265H
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Reinforced
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side, High-side, Half Bridge
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    WB-DSO-16
  • 予算価格€/ 1k
    1.63, 1.63
  • 伝搬遅延オフ
    37 ns
  • 伝搬遅延オン
    37 ns
  • 入力 Vcc
    3 V to 3.3 V
  • 入力側供給
    20 V
  • 出力電流 (Sink)
    8 A
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    650 V
OPN
2EDS8265HXUMA2
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The EiceDRIVER™ 2EDS8265H is a reinforced isolated gate driverfor secondary-side control over the mandatory safe isolation barrier in SMPS. The strong 4A/8A source/sink gate driver features a high 150V/ns CMTI for robust operation with fast CoolMOS™ and high power switching noise environment.The short propagation delay of 37ns is provided with low variation over temperature, enabling the power system design to achieve higher efficiency.

機能

  • Fast switching with accurate timing
  • Optimized for area and system BOM
  • Robust against switching noise
  • Output- to-output channel isolation
  • Input-to-output channel isolation

利点

  • Efficiency gain and lower losses
  • Improved thermal behavior at smaller form factor
  • Protection and safe operation
  • Flexible configurations
  • Regulatory safety

System values

  • Enabling higher system efficiency and higher power density designs
  • Improving long term competitive cost position, integration and mass manufacturability
  • Extending end-product lifetime by improving safe operation of power switches in normal and abnormal field (grid) conditions
  • Lower EMI by ground isolation, driver proximity to MOSFETs or when using 4-pin Kelvin source MOSFETs
  • Simplified safety approval through component (VDE884-x, UL1577 and system (IEC60950, IEC62368) certificates

図

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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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