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RoHS準拠
鉛フリー

2EDR3146XQE

5.7 kV (rms) dual-channel gate driver IC with AEC-Q100 qualification, reinforced isolation, 6.5 A output current, 12 V UVLO

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2EDR3146XQE
2EDR3146XQE

Product details

  • VBS UVLO (On)
    13 V
  • VBS UVLO (Off)
    12 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Reinforced
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    PG-DSO-14-79
  • 伝搬遅延オフ
    39 ns
  • 伝搬遅延オン
    39 ns
  • 入力 Vcc
    -0.3 V to 17 V
  • 出力電流 (Source)
    6 A
  • 出力電流 (Sink)
    6.5 A
  • 認定
    AEC-Q100
  • 電圧クラス
    2300 V
OPN
2EDR3146XQEXUMA1
製品ステータス coming soon
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス coming soon
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 1500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EiceDRIVER™ Compact 2300 V dual-channel isolated gate driver with +/-6.5 A typical peak output current in a 14-pin DSO wide body package for GaN HEMTs, IGBTs, MOSFETs and SiC MOSFETs. Qualified according to AEC-Q100. Offers dead-time control (DTC) and independent channel operation, allowing for operation as a dual-channel low-side driver, a dual-channel high-side driver, or a half-bridge gate driver with a configurable dead-time.

機能

  • For up to 2300 V Switches
  • 2300 V input-output functional isolation
  • Galvanically isolated coreless xformer
  • 35 V abs. max. output supply voltage
  • Up to 17 V input supply voltage
  • 39ns typ propogation delay
  • 13V / 12V UVLO protection
  • CTI 600 Package with 8mm creepage
  • Enable Pin
  • Product validation according to AEC-Q100

利点

  • Strong 6.5 A output stage
  • Best-in-class CMTI of > 200 kV/µs
  • 8 mm input-to-output
  • 3.3 mm ch-to-ch
  • Part-to-part prop delay skew+ of 8 ns max
  • Ch-to-ch prop delay skew of 5ns max
  • IEC 60747-17 (planned), UL 1577
  • VIORM = 1767 V (peak, reinforced)
  • VISO = 5.7 kV (rms) for 1 min
  • UVLO options for GaN, Si, IGBT, SiC
  • Pin-to-pin package option

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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