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RoHS準拠
鉛フリー

2EDL2504F65

The 2EDL2504 is a 650 V half-bridge gate driver with +0,25 A & -0,5 A output current capability and overcurrent protection integrated in DSO-8 package
データシート
パッケージ

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2EDL2504F65
2EDL2504F65
データシート

製品仕様情報

  • Iout (最大)
    0.5 A
  • 入力電圧 (最大)
    12.3 V
  • 入力電圧 (範囲)
    12.3 V ～ 20 V
  • 出力数
    2
  • 出力電圧 (範囲)
    0 V ～ 20 V
  • 認定
    Industrial
OPN
2EDL2504F65XUMA1
製品ステータス coming soon
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス coming soon
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 2EDL2504 is a 650 V half-bridge gate driver. Its Infineon thin-film-SOI technology provides excellent ruggedness and noise immunity. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 650 V. This driver has cross-conduction prevention with built in interlock lock logic and fully integrated overcurrent protections. It is offered in DSO-8 package.

特長

  • Infineon thin-film-SOI-technology
  • Fully operational to +650 V
  • Integrated DESAT protection
  • Current capability +0.25 A / -0.5 A
  • Propagation delay typ of 50 ns
  • Integrated Bootstrap Diode
  • Negative voltage immunity up to -100 V
  • dV/dt immune ±50 V
  • Maximum supply voltage of 25 V

利点

  • Simple fully protected solution
  • Reduced BOM
  • Semplify customer design
  • Increase system reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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