1EDI10I12MH

1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, active Miller clamp and short circuit clamping
データシート

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1EDI10I12MH
1EDI10I12MH
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Product details

  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VBS UVLO (Off)
    11.1 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.75 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    300 ns
  • 伝搬遅延オン
    300 ns
  • 入力 Vcc
    3.1 V to 17 V
  • 出力電流 (Source)
    2.2 A
  • 出力電流 (Sink)
    2.3 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
EiceDRIVER™ 1200 V high-side gate driver IC with typical 2.2 A source and 2.3 A sink currents in a wide body DSO-8 package with UL certified galvanic isolation, active Miller clamp and short circuit clamping for IGBT Modules .For higher isolation rating, higher current, shorter propagation delay, check out our X3 Compact family , 1ED3122MU12H . The DSO-8 150mil narrow body version with great price performance ratio is also available: 1EDI10I12MF

機能

  • Coreless transformer isolated
  • 1 A rail-to-rail outputs
  • 300 mil wide-body package
  • Package with 8 mm creepage distance
  • Active Miller clamp

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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