1EDI10I12MH

1EDI10I12MH

1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, active Miller clamp and short circuit clamping

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1EDI10I12MH
1EDI10I12MH


製品仕様情報

  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VBS UVLO (Off)
    11.1 V
  • VCC UVLO (On)
    2.85 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.75 V
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • 伝搬遅延オフ
    300 ns
  • 伝搬遅延オン
    300 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    3.1 V～17 V
  • 出力電流 (Source)
    2.2 A
  • 出力電流 (Sink)
    2.3 A
  • 絶縁方式
    Galvanic isolation - Functional
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EiceDRIVER™ 1200 V high-side gate driver IC with typical 2.2 A source and 2.3 A sink currents in a wide body DSO-8 package with UL certified galvanic isolation, active Miller clamp and short circuit clamping for IGBT Modules .For higher isolation rating, higher current, shorter propagation delay, check out our X3 Compact family , 1ED3122MU12H . The DSO-8 150mil narrow body version with great price performance ratio is also available: 1EDI10I12MF

特長

  • Coreless transformer isolated
  • 1 A rail-to-rail outputs
  • 300 mil wide-body package
  • Package with 8 mm creepage distance
  • Active Miller clamp
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ