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RoHS準拠

EB 2ED2410 3D 1BCD

EiceDRIVER™ APD 2ED2410-EM - 24 V evaluation MOSFET daughterboard, common drain
ユーザーマニュアル
EA.
個の在庫あり

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EB 2ED2410 3D 1BCD
EB 2ED2410 3D 1BCD
EA.
ユーザーマニュアル

製品仕様情報

  • トポロジー
    High-Side, Back to Back common drain, High-side switch
  • ファミリー
    EiceDRIVER™ Gate Driver, OptiMOS™
  • ボードタイプ
    Evaluation Board
  • 入力タイプ
    DC
  • 対象アプリケーション
    Automotive, Relays, Power Distribution, construction and agricultural vehicles (CAV)
  • 認定
    Automotive
  • 電源電圧 (範囲)
    3 V ～ 36 V
推奨
OPN
EB2ED24103D1BCDTOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ N/A
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ N/A
パッケージ名 -
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
This daughterboard, EB 2ED2410 3D 1BCD, is part of a family of evaluation boards that can be combined with the 2ED2410-EM 24 V evaluation motherboard. It addresses one load channel and consists of two 60 V OptiMOSTM5 power MOSFETs (1.1 mOhm) in a back2back common drain configuration. Other available daughterboards include EB 2ED2410 3D 1BCS, EB 2ED2410 3D 1BCDP, and EB 2ED2410 3D 1BCSP, each with different configurations and features.

特長

  • Suitable for 12 and 24 V board nets
  • In combination with board EB 2ED2410 3M
  • 0,5 mOhm shunt resistor
  • 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET
  • MOSFET temp monitoring using NTC
  • 20 A continuous or 30 A for 10 min

用途

Bill of Material

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

図

EB-2ED2410-3D-1BCD-schematics
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