シリコンカーバイド MOSFET ディスクリート
SiC（シリコンカーバイド）CoolSiC™ MOSFETディスクリートは、ハードおよび共振スイッチングトポロジに最適
ディスクリートパッケージのCoolSiC™ SiC MOSFETは、アプリケーションにおけるきわめて低い損失、動作におけるきわめて高い信頼性の実現に最適化された、最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。温度に依存しない低いスイッチング損失、ハードコミュテーションに適した高速な内蔵フリーホイールダイオードにより、ディスクリートパッケージのCoolSiC™ SiC MOSFETは、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバータまたはDC-ACインバータなど、ハードおよび共振スイッチングトポロジに最適です。不要な寄生ターンオン効果に対する耐性が優れているので、ブリッジトポロジでのゼロボルトターンオフの場合であっても、業界標準となる低い動的損失を実現しています。
インフィニオンは、超高速SiC MOSFETスイッチング機能によってニーズを満たす、各種の精選したドライバIC製品を含めて、ディスクリート製品をそろえています。さらに、CoolSiC™ MOSFETおよび EiceDRIVER™ゲートドライバICは、効率向上、スペースと重量の節約、部品点数低減、システムの信頼性強化という技術のメリットを活用しています。
ディスクリートハウジングのCoolSiC™ MOSFETは還流ダイオードを内蔵しているため、追加のダイオードチップを要することなくハードスイッチングが可能です。MOSFETはユニーポーラ特性を持つことから、特に部分負荷状態ではスイッチング損失は温度に依存することなくきわめて低く、導通損失も低いという特徴があります。
インフィニオンの1200V／650V SiC（シリコンカーバイド） CoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、LLCやZVSといったハードおよび共振スイッチングトポロジに理想的であり、IGBTやCoolMOS™と同様に標準的なドライバで作動させることができます。これらの堅牢なデバイスは、最先端のトレンチ設計により実現される卓越したゲート酸化膜信頼性、クラス最小レベルのスイッチング損失と導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル（利得）、しきい値電圧Vth=4V、短絡耐量を提供します。
シリコンカーバイド（SiC）フォーラム
SiCウェブフォーラムは、コミュニティとのアイディア交換や、インフィニオンのSiC専門家にアドバイスを求めて頂くことで、CoolSiCTM MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。
SiC MOSFET 1200VゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICを勧めします。
