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600 V CoolMOS™ P6

優れた効率と使いやすさの組み合わせ

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概要

600V CoolMOS™ P6 SJ MOSFETは、ほとんどの高電力アプリケーションに適した汎用部品であり、優れたボディダイオードの堅牢性により、ソフトスイッチングアプリケーションとハードスイッチングアプリケーションの両方に適しています。 Qg、Vth、Eon、Eoffなどの最適化により、優れた効率を実現し、使いやすさは、最適化されたdV/dt (di/dt) 制御性、内部Rg、および改善された発振動作に起因します。

主な機能

  • ゲート電荷の低減 (Qg)
  • 最適化 Vthソフトスイッチング用
  • 良好なボディダイオードの堅牢性
  • 最適化 統合 Rg
  • 改善されたdV/dt

製品

概要

CoolMOS™ P6 SJ MOSFETファミリーは、特に軽負荷状態で非常に低い導通損失とスイッチング損失を実現し、スイッチングアプリケーションをより効率的に動作させ、よりコンパクト、軽量、低温に設計できるようにします。

きめ細かなポートフォリオにより、CoolMOS™ P6は、サーバー、PC電源、テレコム整流器、民生用アプリケーションなどのアプリケーションの特定のニーズに対応し、今日の市場で最高の価格性能比を提供します。 CoolMOS™ P6 SJ MOSFETファミリーは、使いやすさに最適化されており、高出力SMPS の一般的な設計課題に対処すると同時に、CoolMOS™ CP SJ MOSFETファミリーに近いレベルでクラス最高の効率を提供します。

600V CoolMOS™ P6スーパージャンクション (SJ) MOSFETは、SMDパッケージ (DPAK & D2PAK、ThinPAK 5x6、ThinPAK 8x8) とスルーホール (TO-220、絶縁型TO-220、FullPAK、TO-247、ケルビンソースTO-247-4) の両方で提供されます。

デバイス範囲は 41mΩ/77.5 A から 600 mΩ/4.9A までをカバーします

  • 軽負荷時の効率向上
  • 早期のターンオフによるソフトスイッチングアプリケーションの効率向上
  • ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジに最適
  • 優れた使いやすさとスイッチング動作の制御性
  • 高い堅牢性
  • 卓越した品質と信頼性

PFCコンバーターにおけるこのプラグアンドプレイ測定の比較は、CoolMOS™ C6およびCoolMOS™ CPと比較したCoolMOS™ P6の利点を示しています。 P6の効率は、10%の軽負荷状態では0.45%以上向上し、全負荷ではC6と比較して1.25%向上します。 この効率上の利点は、Qg低減と比較的高いVthによるものです。

LLCの比較測定では、P6は軽負荷時にE6に対して0.8%を超える効率上の利点を示しています。 この改善は、E6と比較して30%のQg削減にも基づいています。 全負荷では、P6とE6は、全負荷で重要なパラメータである同じRDS(on)レベルにより、同様の効率測定結果を提供します。

CoolMOS™ P6 SJ MOSFETファミリーは、特に軽負荷状態で非常に低い導通損失とスイッチング損失を実現し、スイッチングアプリケーションをより効率的に動作させ、よりコンパクト、軽量、低温に設計できるようにします。

きめ細かなポートフォリオにより、CoolMOS™ P6は、サーバー、PC電源、テレコム整流器、民生用アプリケーションなどのアプリケーションの特定のニーズに対応し、今日の市場で最高の価格性能比を提供します。 CoolMOS™ P6 SJ MOSFETファミリーは、使いやすさに最適化されており、高出力SMPS の一般的な設計課題に対処すると同時に、CoolMOS™ CP SJ MOSFETファミリーに近いレベルでクラス最高の効率を提供します。

600V CoolMOS™ P6スーパージャンクション (SJ) MOSFETは、SMDパッケージ (DPAK & D2PAK、ThinPAK 5x6、ThinPAK 8x8) とスルーホール (TO-220、絶縁型TO-220、FullPAK、TO-247、ケルビンソースTO-247-4) の両方で提供されます。

デバイス範囲は 41mΩ/77.5 A から 600 mΩ/4.9A までをカバーします

  • 軽負荷時の効率向上
  • 早期のターンオフによるソフトスイッチングアプリケーションの効率向上
  • ハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジに最適
  • 優れた使いやすさとスイッチング動作の制御性
  • 高い堅牢性
  • 卓越した品質と信頼性

PFCコンバーターにおけるこのプラグアンドプレイ測定の比較は、CoolMOS™ C6およびCoolMOS™ CPと比較したCoolMOS™ P6の利点を示しています。 P6の効率は、10%の軽負荷状態では0.45%以上向上し、全負荷ではC6と比較して1.25%向上します。 この効率上の利点は、Qg低減と比較的高いVthによるものです。

LLCの比較測定では、P6は軽負荷時にE6に対して0.8%を超える効率上の利点を示しています。 この改善は、E6と比較して30%のQg削減にも基づいています。 全負荷では、P6とE6は、全負荷で重要なパラメータである同じRDS(on)レベルにより、同様の効率測定結果を提供します。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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