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概要

当社のゲートドライバIC ソリューションは、専門家による選択です。インフィニオンは、2つのインターロックされたチャネルを備えたハーフブリッジゲートドライバを提供しています。
新しい650 V ハーフブリッジ SOI型ゲートドライバIC は、高電流 (2.5A) および低電流 (0.7A) のオプションを備えています。優れた堅牢性とノイズ耐性を備えたこれらのゲートドライバは、モータードライブや高出力照明などに最適です。また、車載認定済みのハーフブリッジゲートドライバIC も提供しています。

主な機能
  • 2つのインターロックされたチャネル
  • 優れた堅牢性
  • ノイズ耐性
  • 正確なタイミング
アプリケーション
産業用モータードライブおよび制御
LED照明システムの設計
電力変換
家電製品

製品

概要

EiceDRIVER™ゲートドライバーICのご紹介

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBGパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。当社は、ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、車載認定ゲートドライバー、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバー、および非絶縁ローサイドドライバーの優れた製品ファミリーを提供しています。

EiceDRIVER™ゲートドライバーIC製品ラインアップは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライバ構成は、ディスクリート形式であろうとパワーモジュール内であろうと、すべてのパワースイッチに不可欠です。

EiceDRIVER ™レベルシフト シリコン オン インシュレーター (SOI) 技術

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブートストラップダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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EiceDRIVER™レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術で利用できます。

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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EiceDRIVER™ゲートドライバーICのご紹介

インフィニオンとインターナショナル レクティファイアーの数十年にわたるアプリケーション専門知識と技術開発により、MOSFET、ディスクリートIGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、GaN HEMT などのシリコンおよびWBGパワーデバイスで使用するゲートドライバIC のポートフォリオが生まれました。当社は、ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、車載認定ゲートドライバー、200 V、500-700 V、1200 V レベルシフトゲートドライバー、および非絶縁ローサイドドライバーの優れた製品ファミリーを提供しています。

EiceDRIVER™ゲートドライバーIC製品ラインアップは、さまざまな構成、電圧クラス、絶縁レベル、保護機能、パッケージオプションに及びます。最先端のディスクリートスイッチファミリーでは、その容量と機能を最大限に活用するためにゲート駆動回路を調整する必要があります。最適なゲートドライバ構成は、ディスクリート形式であろうとパワーモジュール内であろうと、すべてのパワースイッチに不可欠です。

EiceDRIVER ™レベルシフト シリコン オン インシュレーター (SOI) 技術

インフィニオンのシリコン オン インシュレーター (SOI) 技術は、高電圧のレベルシフト技術であり、内蔵ブートストラップダイオード (BSD) や業界最高クラスの堅牢性など、独自の利点を提供し、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは埋め込まれたシリコン酸化膜によって絶縁されているため、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが排除されます。この技術はレベルシフトによる電力損失を低減し、またデバイスのスイッチング損失を最小限に抑えることができます。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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EiceDRIVER™レベルシフト接合絶縁 (JI) 技術で利用できます。

pn 接合絶縁 (JI) 技術は、成熟した実証済みの業界標準のMOS/CMOS 製造技術です。当社独自の高電圧集積回路 (HVIC) およびラッチ耐性CMOS 技術により、堅牢なモノリシック構造を実現します。高度なプロセスにより、特定のモーター制御およびスイッチモード電源アプリケーション向けに、性能あたりの価格が最高のモノリシック高電圧および低電圧回路構成が可能になります。

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ドキュメント

ドキュメント

ニュースおよびハイライト

EiceDRIVER™ 2EDLドライバーICファミリー

EiceDRIVER™ 2EDL 600VハーフブリッジゲートドライバーICファミリーは、レベルシフターSOI(Silicon on Insulator)技術に基づいており、低抵抗の超高速ブートストラップダイオードを統合し、高効率と小型化をサポートします。

保護機能搭載ガルバニック絶縁ゲートドライバー

XDPS2201は、従来のフライバックトポロジのシンプルさと共振コンバータの性能を組み合わせた、マルチモードのデジタル構成可能なハイブリッドフライバックコントローラです。

ゲートドライバソリューション - インフィニオンが最高のパートナーである理由

このトレーニングでは、電力密度、効率、バッテリー範囲が決定的な分野で市場シェアを征服するワイドバンドギャップデバイスのシステムの利点についての洞察を提供します。このトレーニングでは、モバイル充電器とオンボード充電器の2つのアプリケーションに焦点を当て、今日のソリューションが直面している課題と、SiCとGaNが次のレベルのパフォーマンスをどのように提供するかについて説明します。

インフィニオンのSOIゲートドライバ技術の利点

1200Vシリコン・オン・インシュレーターは、マーケットリーダーのレベルシフト・ゲート・ドライバーです。このビデオでは、インフィニオンのSOIを使用した製品の利点を紹介しています。例:ブートストラップダイオードを内蔵し、レベルシフト損失が少ないため、スペースとコストを節約できます。