SPD18P06P G
Active and preferred
RoHS対応

SPD18P06P G

P-Channel Power MOSFET -60 V in DPAK package
データシート
パッケージ

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SPD18P06P G
SPD18P06P G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    690 pF
  • Coss
    230 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    -18.6 A
  • IDpuls (最大)
    -74.4 A
  • Ptot (最大)
    80 W
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    130 mΩ
  • Rth
    1.85 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • 予算価格€/ 1k
    0.47
  • 動作温度 (最大)
    175 °C
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    P
推奨
OPN
SPD18P06PGATMA1 SPD18P06PGBTMA1
製品ステータス active and preferred discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK DPAK
梱包サイズ 2500 2500
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1 1
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No No
ハロゲンフリー Yes No
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ