SPB08P06P G

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P-Channel Power MOSFET -60 V in D2PAK package

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SPB08P06P G
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製品仕様情報

  • Ciss
    335 pF
  • Coss
    105 pF
  • ID (最大)
    -8.8 A
  • IDpuls (最大)
    -320 A
  • Ptot (最大)
    42 W
  • QG
    -10 nC
  • RDS (on) (最大)
    300 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.6 K/W
  • Rth
    3.6 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V~-4 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モード
    Enhancement
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Logic level
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
  • RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ