SPB08P06P G

P-Channel Power MOSFET -60 V in D2PAK package
データシート

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SPB08P06P G
SPB08P06P G
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Product details

  • Ciss
    335 pF
  • Coss
    105 pF
  • ID max
    -8.8 A
  • IDpuls max
    -320 A
  • Ptot max
    42 W
  • QG
    -10 nC
  • RDS (on) max
    300 mΩ
  • RthJC max
    3.6 K/W
  • Rth
    3.6 K/W
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • モード
    Enhancement
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

機能

  • Enhancement mode
  • Logic level
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • Dv/dt rated
  • Pb-free lead-plating
  • RoHS compliant, Halogen-free
  • Qualified according to AEC Q101

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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