S27KS0642GABHI020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S27KS0642GABHI020

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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S27KS0642GABHI020
S27KS0642GABHI020
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-2
  • リードボール仕上げ
    N/A
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S27KS0642GABHI020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
S27KS0642GABHI020は64 MbのHYPERRAM™自己リフレッシュDRAM（PSRAM）で、HYPERBUS™ DDRインターフェース（8-bit DQ、RWDS、CS#、RESET#）により高帯域の外部スクラッチパッド用途に適します。1.8 V VCC/VCCQ（1.7–2.0 V）、最大200 MHzクロックと400 MBps転送、最大アクセス時間35 nsに対応。リニア/ラップバースト（16–128 B）とハイブリッドバースト、ハイブリッドスリープとディープパワーダウンを搭載。24ボールFBGA、-40°C〜+85°C。

特長

  • HYPERBUS™インターフェース
  • 1.8 V/3.0 V I/O対応
  • 単端/差動クロック対応
  • 8ビットDDRバスDQ[7:0]
  • RWDSでストローブ/書込マスク
  • DCARS読出しストローブ(任意)
  • 最大クロック200 MHz
  • 最大400 MBpsスループット
  • 最大アクセスtACC 35 ns
  • ハイブリッドスリープ保持
  • ディープパワーダウンで刷新停止
  • ESD: HBM 2 kV, CDM 500 V

利点

  • x8で高速なMCU拡張メモリ
  • 1.8 V/3.0 V電源レール対応
  • クロック選択で基板制約緩和
  • DDR x8で配線を簡素化
  • RWDSでDDRタイミング余裕向上
  • DCARSで読出しアイ余裕拡大
  • 200 MHzで高帯域I/Oを実現
  • 400 MBpsで高速バッファ対応
  • tACC 35 nsで低レイテンシ
  • ハイブリッドスリープで省電力
  • 不要時はDPDで最小消費電力
  • 高ESDで取り扱い耐性向上
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ