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RIC7S113L4

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RIC7S113L4
RIC7S113L4
データシート

Product details

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • tf
    17 ns
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • toff
    100 ns
  • ton
    120 ns
  • tr
    25 ns
  • VS max
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    MO-036AB
  • 出力電圧 max
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス
    5 V to 20 V
  • 電源電圧
    10 V to 20 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-DIP-14
パッケージ坝 14 Pin Dual In Line SB
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-DIP-14
パッケージ坝 14 Pin Dual In Line SB
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
RIC7S113L4 is a rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Designed for harsh radiation environments such as space, this high- and low-side driver is SEE characterized up to LET of 81.9 MeV·cm2/mg and its electrical parameters specified pre and post-irradiation up to 100 krad(Si) TID. This is a COTS device in a MO-036AB CIC package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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