RIC7S113L4
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RIC7S113L4
RIC7S113L4
データシート

製品仕様情報

  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VS (最大)
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    MO-036AB
  • 出力電圧 (最大)
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス 範囲
    5 V～20 V
  • 電源電圧 範囲
    10 V～20 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
RIC7S113L4 is a rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Designed for harsh radiation environments such as space, this high- and low-side driver is SEE characterized up to LET of 81.9 MeV·cm2/mg and its electrical parameters specified pre and post-irradiation up to 100 krad(Si) TID. This is a COTS device in a MO-036AB CIC package.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ