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JANSR2N7650U8CE

耐放射線性、60 V、25 A、SMD-0.2eセラミック リッド パッケージの耐放射線性MOSFET – 100 krad TID、JANS
データシート

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JANSR2N7650U8CE
JANSR2N7650U8CE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    25 A
  • QG
    31 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    30 Ω
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2e
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
JANSR2N7650U8CEは、R9世代の耐放射線性シングルNチャネルMOSFETで、セラミックリッド付きSMD-0.2eパッケージに収められており、60 V / 25 Aに対応します。低RDS (on) と高速スイッチング時間の組み合わせにより、DC-DCコンバータやモータードライブなどのアプリケーションで高い性能を実現できるため、宇宙用途に最適です。このデバイスは、電圧制御や高速スイッチングなど、MOSFETの確立された利点をすべて備えています。

特長

  • SEE (シングルイベント効果) に対してLET = 90 MeV·cm2/mgまで耐性を有します。
  • 低RDS (on)
  • 低い総ゲート電荷
  • 高速スイッチング
  • 気密封止セラミックパッケージ
  • 表面実装
  • 軽量
  • ESD定格: class 1C (MIL-STD-750, 1020)

ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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