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JANSF2N7660U3CE

データシート
パッケージ

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JANSF2N7660U3CE
JANSF2N7660U3CE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -24 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660U3CE
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    0.072 Ω
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
JANSF2N7660U3CEは、-100 V / -24 Aの耐放射線性PチャネルMOSFETで、セラミックリッドのSMD-0.5e拡張パッケージに収められており、最大300 krad(Si) TIDの電気性能を備えています。IR HiRel R9テクノロジーは、宇宙用途向けに優れたパワーMOSFETを提供します。

特長

  • SEE耐性化
  • 低RDS (on)
  • 堅牢なSOA
  • 高いアバランシェエネルギー定格
  • シンプルな駆動要件
  • ハーメチックシール
  • セラミックパッケージ
  • 軽量
  • 表面実装
  • ESD定格: クラス2 (MIL-STD-750、1020)

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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