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JANSF2N7647T3

データシート
パッケージ

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JANSF2N7647T3
JANSF2N7647T3
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    28 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7647T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    19 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR HiRel R9 N-channel MOSFET JANSF2N7647T3 is a radiation-hardened device with a 60V and 30A rating, ideal for space applications. Its low RDS(on) and faster switching times reduce power losses and increase power density in high-speed switching applications in harsh environments. These MOSFETs retain all well-established advantages and offer electrical performance up to 300krad(Si) TID.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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