ISC025N08NM6SC
新規
Active and preferred
RoHS対応

ISC025N08NM6SC

新規
SuperSO8両面冷却のOptiMOS™ 6 nチャネルパワーMOSFET (80 V)
データシート
パッケージ

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ISC025N08NM6SC
ISC025N08NM6SC
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    170 A
  • IDpuls (最大)
    680 A
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.5 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.4 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
ISC025N08NM6SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
80 V OptiMOS™ 6パワーMOSFET: 業界ベンチマークの性能を提供する最新のパワーMOSFET技術。 インフィニオンの最新ウェーハ技術は、前身のOptiMOS™ 5と比較して、TO-220においてRDS (on)を21%以上低減し、FOMQgx RDS (on)を約40%改善するなど、大幅な性能向上を実現します。これらの性能向上により、システム効率と電力密度が向上します。

特長

  • 高性能シリコン技術
  • 用途に適した RDS (on)オプション
  • 低い上面 RthJC(0.72 K/W)
  • 標準レベルのゲートドライブ
  • 175℃ 定格
  • 産業用途向け認定

利点

  • OptiMOS™ 5よりも低い導通損失
  • OptiMOS™ 5よりも低いスイッチング損失
  • 放熱性の向上
  • 優れた電力処理能力
  • 堅牢で信頼性の高い性能
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }