新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRLU3410

100V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRLU3410
IRLU3410
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    17 A
  • Ptot max
    52 W
  • Qgd
    13.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    22.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    105 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    155 mΩ
  • RthJC max
    2.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS max
    16 V
  • パッケージ
    IPAK (TO-251)
  • 予算価格€/ 1k
    0.31
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRLU3410PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
包装サイズ 3000
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for wide distribution access
  • JEDEC-standard product qualification
  • Silicon optimized for <100kHz switching
  • Standard through-hole power package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Drop-in replacement with standard pinout

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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