IRHYS67130CM
Active and preferred

IRHYS67130CM

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHYS67130CM
IRHYS67130CM
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7588T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHYS67130CM COTS N-channel MOSFET is a single, radiation-hardened device ideal for space applications. It operates at 100V and 20A, with low RDS(on) and low gate charge, resulting in reduced power losses. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID, making it highly reliable. The TO-257AA tabless low ohmic package offers improved thermal performance.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ