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IRHYS67130CM

データシート
パッケージ

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IRHYS67130CM
IRHYS67130CM
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7588T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHYS67130CM COTS N-channel MOSFET is a single, radiation-hardened device ideal for space applications. It operates at 100V and 20A, with low RDS(on) and low gate charge, resulting in reduced power losses. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID, making it highly reliable. The TO-257AA tabless low ohmic package offers improved thermal performance.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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