IRHNS9A7064
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IRHNS9A7064
IRHNS9A7064
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    100 A
  • ID (@25°C) (最大)
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL型番
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    4 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNS9A7064 R9 N-channel MOSFET with SupIR-SMD package is rad hard with 60V/100A rating and electrical performance up to 100krad(Si) TID. Its improved immunity to SEE and LET up to 90MeV·cm2/mg makes it perfect for space applications. A COTS device, it offers low RDS(on) and faster switching times for high speed switching applications. IRHNS9A7064 retains all the advantages of MOSFETs, such as voltage control and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ