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IRHNPC9A7110

データシート
パッケージ

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IRHNPC9A7110
IRHNPC9A7110
データシート

Product details

  • ESD Class
    1B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    9 A
  • QG
    9.5 nC
  • QPL Part Number
    2N7656U9C
  • RDS (on) (@25°C) max
    150 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Die Size
    1
  • Package
    SMD-0.1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD0.1
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD0.1
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHNPC9A7014 is a single R9 N-channel MOSFET with 100V and 9.0A ratings. In a compact SMD-0.1 package, this rad hard device provides electrical performance up to 100krad(Si) TID. They offer improved immunity to SEE and have characterized for useful performance with Linear Energy Transfer (LET) up to 88.6 MeV·cm2/mg. Its lower RDS(on) and fast switching times enable better performance in DC-DC converters or motor drives in space power systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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