IRHNPC9A7110
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IRHNPC9A7110

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パッケージ

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IRHNPC9A7110
IRHNPC9A7110
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    1B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    9 A
  • QG
    9.5 nC
  • QPL型番
    2N7656U9C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    150 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD0.1
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD0.1
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHNPC9A7014 is a single R9 N-channel MOSFET with 100V and 9.0A ratings. In a compact SMD-0.1 package, this rad hard device provides electrical performance up to 100krad(Si) TID. They offer improved immunity to SEE and have characterized for useful performance with Linear Energy Transfer (LET) up to 88.6 MeV·cm2/mg. Its lower RDS(on) and fast switching times enable better performance in DC-DC converters or motor drives in space power systems.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ