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IRHNPC9A7110

データシート
パッケージ

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IRHNPC9A7110
IRHNPC9A7110
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    1B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    9 A
  • QG
    9.5 nC
  • QPL型番
    2N7656U9C
  • RDS (on) (@25°C) max
    150 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNPC9A7014 is a single R9 N-channel MOSFET with 100V and 9.0A ratings. In a compact SMD-0.1 package, this rad hard device provides electrical performance up to 100krad(Si) TID. They offer improved immunity to SEE and have characterized for useful performance with Linear Energy Transfer (LET) up to 88.6 MeV·cm2/mg. Its lower RDS(on) and fast switching times enable better performance in DC-DC converters or motor drives in space power systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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