IRHNMC9A7024
新規設計非推奨

IRHNMC9A7024

本製品は現行品ですが、新規設計には推奨されません。現在、フットプリント互換の新パッケージが入手可能です (注目の製品をご参照ください) 。
データシート
パッケージ

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IRHNMC9A7024
IRHNMC9A7024
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    20 A
  • ID (@25°C) (最大)
    25 A
  • QG
    31 nC
  • QPL型番
    2N7650U8C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    30 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNMC9A7024 is a rad hard R9 N-channel MOSFET in a ceramic SMD-0.2C package. With a voltage rating of 100V and 23A current handling capabilities, this COTS MOSFET has electrical performance up to 300krad(Si) TID. Its low RDS(on) and fast switching times make IRHNMC9A7024 ideal for DC-DC converters and motor drives in space applications. LET characterization up to 90 MeV·cm2/mg provides improved SEE immunity.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ