新規設計は非推奨

IRHNMC57214SE

From 20 V to 650 V, space-qualified to DLA and ESA standards. This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNMC57214SE
IRHNMC57214SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B per MIL-STD-750, Method 1020
  • Generation
    R5
  • ID (@25°C) max
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1700 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNMC57214SE is a rad hard R5 MOSFET designed for space applications. It offers a 250V, 3.7A capacity with low RDS(on) and gate charge reducing power losses in high-speed switching. Proven SEE up to an LET of 80MeV·cm2/mg. In a SMD-0.2C package, this is a COTS part for high-reliability spacecraft applications, with temperature stability of electrical parameters.

機能

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Low RDS(on)
  • Low total gate charge
  • Simple Drive requirements
  • Low total gate charge
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Surface mount
  • Light Weight
  • ESD rating: Class 1B per MIL-STD-750, Method 1020

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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