新規設計は非推奨

IRHNM9A3120SCS

From 20 V to 650 V, space-qualified to DLA and ESA standards. This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNM9A3120SCS
IRHNM9A3120SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C per MIL-STD-750, Method 1020
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • QG
    23 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    55 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNM9A3120SCS is a rad hard R9 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a voltage rating of 100V and a current rating of 23A, this single MOSFET is ideal for space applications. This space-grade QIRL part has electrical performance up to 300krad(TID) and its low RDS(on) and fast switching times make it perfect for DC-DC converters and motor control. It retains all the benefits of MOSFETs while having improved SEE immunity.

機能

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Low RDS(on)
  • Low total gate charge
  • Simple drive requirements
  • Fast switching
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Light weight
  • Surface mount
  • ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750, Method 1020

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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