IRHNKC67C30
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IRHNKC67C30

From 20 V to 650 V, space-qualified to DLA and ESA standards
データシート
パッケージ

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IRHNKC67C30
IRHNKC67C30
データシート

製品仕様情報

  • Generation
    R6
  • ID (@25°C) (最大)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3.1 Ω
  • SEE
    1 MeV∙cm2/mg
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
耐放射線性、600 V、3.5 A、NチャネルMOSFET、R6、SMD-0.5eセラミック リッド パッケージ - 100 krad (Si) TID、COTS

特長

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Low RDS(on)
  • Fast switching
  • Low total gate charge
  • Simple drive requirements
  • Hermetically sealed
  • Enhanced ceramic package for direct to PCB mounting
  • Light weight
  • Surface mount with low CTE mismatch to PCB
  • ESD rating: Class 2 per MIL-STD-750, Method 1020

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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