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IRHNJ9A3034

データシート
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IRHNJ9A3034
IRHNJ9A3034
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    29 A
  • ID (@25°C) max
    40 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7647U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    18 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
The IRHNJ9A3034 R9 MOSFET is a rad hard device designed for space applications. With a 60V, 40A capacity and improved SEE immunity, it has been characterized for useful performance up to 300krad(Si) TID with LET up to 90MeV·cm2/mg. Low RDS(on), faster switching times, and ease of paralleling reduces power losses and increases power density. In a SMD-0.5 package, it is a COTS part with temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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