IRHNJ57230SE
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IRHNJ57230SE

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IRHNJ57230SE
IRHNJ57230SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    7.8 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL型番
    2N7486U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    220 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNJ57230SE R5 N-channel MOSFET is a rad hard single N-channel MOSFET for space applications. With a SMD-0.5 package and electrical performance up to 100krad(Si) TID, it has a 200V maximum voltage and a current capacity of 12A. It has low RDS(on) and low gate charge for minimized power losses in switching applications, while retaining all the typical benefits of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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