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IRHNJ57230SE

データシート
パッケージ

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IRHNJ57230SE
IRHNJ57230SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL型番
    2N7486U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNJ57230SE R5 N-channel MOSFET is a rad hard single N-channel MOSFET for space applications. With a SMD-0.5 package and electrical performance up to 100krad(Si) TID, it has a 200V maximum voltage and a current capacity of 12A. It has low RDS(on) and low gate charge for minimized power losses in switching applications, while retaining all the typical benefits of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }