IRHNJ57230SE
Active and preferred

IRHNJ57230SE

データシート
パッケージ

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IRHNJ57230SE
IRHNJ57230SE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    7.8 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • QG
    35 nC
  • QPL型番
    2N7486U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    220 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Metal Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNJ57230SE R5 N-channel MOSFET is a rad hard single N-channel MOSFET for space applications. With a SMD-0.5 package and electrical performance up to 100krad(Si) TID, it has a 200V maximum voltage and a current capacity of 12A. It has low RDS(on) and low gate charge for minimized power losses in switching applications, while retaining all the typical benefits of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ