IRHMB6S7260

データシート

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IRHMB6S7260
IRHMB6S7260
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMB6S7260 is rad hard N-channel MOSFET with R6 technology. This single MOSFET has a maximum voltage of 200V and can handle a current of up to 35A. The TO-254AA tabless low ohmic package provides low RDS(on) and low gate charge, reducing power losses in switching applications. With electrical performance up to 100krad(Si) TID classification, this MOSFET is perfect for space applications

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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