IRHMB6S7260

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IRHMB6S7260
IRHMB6S7260

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    35 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    240 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    29 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMB6S7260 is rad hard N-channel MOSFET with R6 technology. This single MOSFET has a maximum voltage of 200V and can handle a current of up to 35A. The TO-254AA tabless low ohmic package provides low RDS(on) and low gate charge, reducing power losses in switching applications. With electrical performance up to 100krad(Si) TID classification, this MOSFET is perfect for space applications

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ