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IRHM7260SESCS

データシート
パッケージ

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IRHM7260SESCS
IRHM7260SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    25 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    290 nC
  • QPL型番
    2N7433
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    70 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHM7260SESCS R4 N-channel MOSFET is designed for reliable operation in space applications. Its IR HiRel rad hard HEXFET technology and QIRL classification ensure electrical performance up to 100krad(Si) TID. With a rating of 200V and 35A, this MOSFET can handle high voltage and current. Low RDS(on) and gate charge improve performance in switching applications while retaining the benefits of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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