IRHM7260SESCS
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IRHM7260SESCS

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IRHM7260SESCS
IRHM7260SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    25 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    290 nC
  • QPL型番
    2N7433
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    70 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHM7260SESCS R4 N-channel MOSFET is designed for reliable operation in space applications. Its IR HiRel rad hard HEXFET technology and QIRL classification ensure electrical performance up to 100krad(Si) TID. With a rating of 200V and 35A, this MOSFET can handle high voltage and current. Low RDS(on) and gate charge improve performance in switching applications while retaining the benefits of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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