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IRHM7260SESCS

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IRHM7260SESCS
IRHM7260SESCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    25 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    290 nC
  • QPL型番
    2N7433
  • RDS (on) (@25°C) max
    70 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHM7260SESCS R4 N-channel MOSFET is designed for reliable operation in space applications. Its IR HiRel rad hard HEXFET technology and QIRL classification ensure electrical performance up to 100krad(Si) TID. With a rating of 200V and 35A, this MOSFET can handle high voltage and current. Low RDS(on) and gate charge improve performance in switching applications while retaining the benefits of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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