IRHLNA77064
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IRHLNA77064
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    56 A
  • ID (@25°C) (最大)
    56 A
  • QG
    140 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    12 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHLNA77064 R7 MOSFET is a rad hard, 60V, 56A single N-channel device in a SMD-2 package. It offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. The threshold voltage stays within the acceptable operating limits over the full operating temperature and post radiation. It also maintains single event gate rupture and burnout immunity, making it ideal for use in radiation-prone environments.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ