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IRHLNA77064

データシート
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IRHLNA77064
IRHLNA77064
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    140 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLNA77064 R7 MOSFET is a rad hard, 60V, 56A single N-channel device in a SMD-2 package. It offers electrical performance up to 100krad(Si) TID. The threshold voltage stays within the acceptable operating limits over the full operating temperature and post radiation. It also maintains single event gate rupture and burnout immunity, making it ideal for use in radiation-prone environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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