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RoHS準拠
鉛フリー

IRFI3205

55V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 FullPak package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRFI3205
IRFI3205
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    64 A
  • Ptot max
    48 W
  • Qgd
    49.3 nC
  • QG (typ @10V)
    113.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8 mΩ
  • RthJC max
    2.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    0.75
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFI3205PBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
FULLPAK220
パッケージ名 TO-220 FullPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Isolated package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • No need for insulating hardware

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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