IRFH4255D

IRFH4255D

25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFH4255D
IRFH4255D

製品仕様情報

  • ID (最大)
    64 A, 105 A
  • IDpuls (最大)
    420 A, 120 A
  • Ptot (最大)
    31 W, 38 W
  • Qgd
    8.4 nC, 3.8 nC
  • QG
    23 nC, 10 nC
  • RDS (on) (最大)
    3.2 mΩ, 1.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4.6 mΩ, 2.1 mΩ
  • RthJA (最大)
    34 K/W, 31 K/W
  • Tj (最小)
    -55 °C
  • VDS (最大)
    25 V, 25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 (最小)
    -55 °C
  • 極性
    N+N
  • 特別な機能
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • Control and synchronous MOSFETs in one package
  • Low charge control MOSFET (10nC typical)
  • Low RDSON synchronous MOSFET (less than 2.10mOhms)
  • Intrinsic Schottky Diode with Low Forward Voltage on Q2
  • RoHS Compliant
  • Halogen-Free
  • MSL1
  • Industrial Qualification
  • FastIRFET™

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ